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第一講：LED 照明驅(qū)動(dòng)方案選型
近年來，隨著LED在光效及成本等幾乎各個(gè)方面的持續(xù)改進(jìn)，其應(yīng)用領(lǐng)域不斷拓寬，從傳統(tǒng)的便攜設(shè)備背光向中大尺寸LCD顯示器/液晶電視背光、汽車及通用照明等領(lǐng)域不斷邁進(jìn)。不同的應(yīng)用對LED的要求不同，故需針對不同的應(yīng)用選擇合適的LED驅(qū)動(dòng)器。安森美半導(dǎo)體提供豐富的LED 驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品，可滿足各種LED 照...
2011-08-29
LED LED照明 驅(qū)動(dòng)器
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利用示波器有效輔助開關(guān)電源設(shè)計(jì)Q/A
本文通過問答的形式，介紹如何利用示波器有效輔助開關(guān)電源的設(shè)計(jì)。
2011-08-29
示波器 開關(guān)電源 紋波 電磁干擾 EMI
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單正向柵驅(qū)動(dòng)IGBT簡化驅(qū)動(dòng)電路
為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時(shí)產(chǎn)生瞬時(shí)集電極電流，設(shè)計(jì)人員一般會設(shè)計(jì)柵特性是需要負(fù)偏置柵驅(qū)動(dòng)的IGBT。然而提供負(fù)偏置增加了電路的復(fù)雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動(dòng)器，因?yàn)檫@些IC是專為接地操作而設(shè)計(jì)──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵...
2011-08-29
柵驅(qū)動(dòng) IGBT 驅(qū)動(dòng)電路
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太陽能電池模塊2011年銷售額將與上年持平
據(jù)美國IHS iSuppli預(yù)測，全球2011年的太陽能電池模塊銷售額將與2010年的346億美元持平。雖然太陽能電池系統(tǒng)的設(shè)置量本身增加，但是受模塊價(jià)格在2011年上半年暴跌的影響，銷售額增長乏力。
2011-08-29
太陽能 太陽能電池 太陽能電池系統(tǒng) 太陽能電池模塊
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ASSP XOTM系列：Pericom推出特定應(yīng)用電壓控制的晶體振蕩器
全球領(lǐng)先的高速連接、時(shí)鐘和信號調(diào)節(jié)芯片及晶振解決方案供應(yīng)商百利通半導(dǎo)體公司（Pericom，納斯達(dá)克股票市場代碼：PSEM）日前宣布：擴(kuò)展其特定應(yīng)用晶體振蕩器（ASSP XOTM）系列，推出一條新的ASSP電壓控制晶體振蕩器（VCXO）產(chǎn)品線。這些解決方案以滿足日益增加的通信基礎(chǔ)設(shè)施、寬帶接入和以太網(wǎng)市...
2011-08-29
Pericom 晶體 ASSP VCXO
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電子元器件行業(yè)旺季失約
據(jù)WSTS統(tǒng)計(jì)，6月全球半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨額271.1億美元，相比2010年6月全球半導(dǎo)體產(chǎn)品出貨額270.4億美元，同比增長0.3%。銷售同比增速與5月增速-1.7%相比略有回升，但未見顯著好轉(zhuǎn)。
2011-08-29
電子元器件 半導(dǎo)體 TFT-LCD 面板
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超級電容器受益于新能源產(chǎn)業(yè)步入高速發(fā)展階段
由于新能源行業(yè)尤其是新能源汽車行業(yè)的飛速發(fā)展，作為核心動(dòng)力儲能設(shè)備的超級電容器也步入高速發(fā)展階段。據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹，超級電容器是當(dāng)今最先進(jìn)的儲能設(shè)備。以往的儲能設(shè)備都是由電能轉(zhuǎn)變成化學(xué)能，再由化學(xué)能轉(zhuǎn)變成電能，兩次轉(zhuǎn)變能量有損失，超級電容器直接充電，再直接放電，充放電效率高達(dá)98%...
2011-08-29
電容器 超級電容 動(dòng)力電池 新能源
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高頻小信號諧振放大電路時(shí)域與頻域?qū)Ρ确治?/span>
在通信電子電路中，對于微小的信號需要進(jìn)行一定增益的放大。通信中的微小信號都屬于高頻信號，所以電路的分析都是基于期間的非線性特性進(jìn)行的。非線性電路的輸出中不同頻率分量的信號分量較多，所以需要采用具有頻率選擇功能的諧振網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行頻率的選擇。諧振網(wǎng)絡(luò)頻率選擇的性能直接決定了諧振放大電...
2011-08-29
小信號 諧振 放大器 時(shí)域
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同步整流以及電荷保持驅(qū)動(dòng)技術(shù)
目前,越來越多的IC芯片都需要低電壓供電。隨著功率變換器輸出電壓的降低,整流損耗成為變換器的主要損耗。為使變換器達(dá)到很高的效率,必須降低整流損耗。我們采用低導(dǎo)通電阻的MOSFET 進(jìn)行整流,這是提高變換器效率的一種有效途徑。
2011-08-29
整流 電荷 變壓器 開關(guān)管
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