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Mouser聯(lián)手Nextreme推出微型熱管理及能源采集解決方案
近日半導(dǎo)體與電子元器件業(yè)頂尖工程設(shè)計(jì)資源與全球分銷(xiāo)商Mouser Electronics，宣布與Nextreme Thermal Solutions展開(kāi)合作，為客戶(hù)帶來(lái)新一代用于發(fā)電的電源熱管理及能源采集方案。
2011-11-18
微型 熱管理 能源采集 Mouser
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APEI HT2000：羅姆與APEI聯(lián)合開(kāi)發(fā)出高速、大電流的SiC溝槽MOS模塊
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社日前面向EV、HEV車(chē)（電動(dòng)汽車(chē)、混合動(dòng)力車(chē)）及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International（APEI）公司聯(lián)合開(kāi)發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。
2011-11-18
SiC溝槽 MOS模塊 模塊 導(dǎo)通特性
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羅姆開(kāi)發(fā)出可在高溫條件下工作的壓鑄模類(lèi)型SiC功率模塊
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社日前面向EV/HEV車(chē)（電動(dòng)汽車(chē)/混合動(dòng)力車(chē)）和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動(dòng)，開(kāi)發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。
2011-11-18
壓鑄模 SiC 功率模塊 變頻驅(qū)動(dòng)
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京東方虧損 國(guó)內(nèi)面板業(yè)寒冬蟄伏
2011年1至9月，京東方實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入85.15億元，同比增長(zhǎng)37.29%。收入小幅增長(zhǎng)的背后是利潤(rùn)巨額虧損京東方前三季度凈利潤(rùn)為-21.43億元。
2011-11-18
TFT LCD LCD面板 數(shù)碼相機(jī)
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明年大尺寸TFT LCD需求面積將增8.8%
近日信息，據(jù)外媒報(bào)道，據(jù)Digitimes Research研究表示，2012年全球大尺寸TFT LCD面板需求面積預(yù)估可達(dá)1.22億平方公尺，較2011年增加8.8%，需求成長(zhǎng)幅度未達(dá)10%以上的主要原因，是除了平板應(yīng)用及AIO DT應(yīng)用有較高幅度成長(zhǎng)外，受到經(jīng)濟(jì)景氣不明朗因素影響包括電視、監(jiān)視器...
2011-11-18
TFT LCD LCD面板 數(shù)碼相機(jī)
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歐洲光伏市場(chǎng)將在第四季度出現(xiàn)22%的增長(zhǎng)
Solarbuzz最新公布的《歐洲光伏市場(chǎng)季度預(yù)測(cè)》稱(chēng)，歐洲光伏市場(chǎng)將在2011年第四季度出現(xiàn)約22%的季度同比增長(zhǎng)，但是2012年的前景仍舊較為慘淡。Solarbuzz指出，下游企業(yè)將需要在搖搖欲墜的刺激政策和電網(wǎng)平價(jià)的包圍下具有應(yīng)對(duì)新定價(jià)環(huán)境的能力。
2011-11-18
光伏 電網(wǎng) 太陽(yáng)能 歐洲市場(chǎng)
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一種低溫漂的CMOS帶隙基準(zhǔn)電壓源的研究
近年來(lái)，由于集成電路的飛速發(fā)展，基準(zhǔn)電壓源在模擬集成電路、數(shù)?；旌想娐芬约跋到y(tǒng)集成芯片(SOC)中都有著非常廣泛的應(yīng)用，對(duì)高新模擬電子技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展也起著至關(guān)重要的作用，其精度和穩(wěn)定性會(huì)直接影響整個(gè)系統(tǒng)的性能。因此，設(shè)計(jì)一個(gè)好的基準(zhǔn)源具有十分現(xiàn)實(shí)的意義。
2011-11-18
帶隙 基準(zhǔn)電路 CMOS 電源電壓
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幾種氣體檢測(cè)傳感器的檢測(cè)原理
檢測(cè)氣體的濃度依賴(lài)于氣體檢測(cè)變送器，傳感器是其核心部分，按照檢測(cè)原理的不同，主要分為金屬氧化物半導(dǎo)體式傳感器、催化燃燒式傳感器、定電位電解式氣體傳感器、迦伐尼電池式氧氣傳感器、紅外式傳感器、PID光離子化傳感器等，以下簡(jiǎn)單闡述各種傳感器的原理及特點(diǎn)。
2011-11-18
氣體 檢測(cè) 傳感器 檢測(cè)原理
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擴(kuò)展探頭帶寬以提高信號(hào)保真度
由于存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)日趨復(fù)雜和緊湊，數(shù)據(jù)速率越來(lái)越高，使用BGA探頭探測(cè)DDR DRAM越來(lái)越受歡迎并已成為一種需求。DDR3和DDR4數(shù)據(jù)速率從800MT/s增加到約3200MT/s。
2011-11-18
DDR BGA 探頭 帶寬
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