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淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)
功率半導體作為電力電子行業(yè)的驅(qū)動力之一，在過去幾十年里硅(Si)基半導體器件以其不斷優(yōu)化的技術(shù)和成本優(yōu)勢主導了整個電力電子行業(yè)，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統(tǒng)對高效率、高功率密度的需求。而當下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導體以其優(yōu)異的電學和熱學特性使得功率半導體器件...
2022-12-26
碳化硅 功率半導體
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簡述SiC MOSFET短路保護時間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說，在一定的短路耐受時間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時間不超過這個SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導致的寄生晶閘管開通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
SiC MOSFET 短路保護時間
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雙極性步進電機（上）：控制模式
步進電機具有獨特的開環(huán)位置控制性能，這使它在智能時代廣受歡迎。為確保步進電機在旋轉(zhuǎn)時輸出扭矩的平滑，需要考慮每個器件獨特的需求。而電機旋轉(zhuǎn)的穩(wěn)定性則與其物理結(jié)構(gòu)和控制模式密切相關(guān)。
2022-12-22
步進電機 結(jié)構(gòu) 控制模式
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先進碳化硅技術(shù)，有效助力儲能系統(tǒng)
人們普遍認識到，碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術(shù)，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應(yīng)用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應(yīng)用具有更多優(yōu)勢，包括更高的開關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低...
2022-12-22
碳化硅 技術(shù) 儲能系統(tǒng)
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使用控制器保護您的高邊開關(guān)
在本設(shè)計解決方案中，我們回顧了在工廠環(huán)境中運行的執(zhí)行器中使用的高邊開關(guān)電路的一些具有挑戰(zhàn)性的工作條件和常見故障機制。我們提出了一種控制器IC，該IC集成了各種安全功能，以監(jiān)控電路運行，并在發(fā)生這些情況時采取適當措施防止損壞。
2022-12-21
控制器 高邊開關(guān)
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如何在智能水表中應(yīng)用超聲波感測技術(shù)
本文介紹了超聲波流量傳感器在智能水表中的操作和集成，并簡要回顧了住宅水表精度的國際標準。然后舉例說明了適用于這些水表的組件，包括 Audiowell 的超聲波傳感器組件，Texas Instruments 的模擬前端 (AFE)、時間數(shù)字轉(zhuǎn)換器 (TDC) IC、微控制器單元和評估板，以及“支持”組件，包括 Silicon Labs ...
2022-12-21
智能水表 超聲波感測技術(shù)
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用于信號和數(shù)據(jù)處理電路的DC－DC轉(zhuǎn)換器解決方案
數(shù)據(jù)處理 IC（如現(xiàn)場可編程門陣列 （FPGA）、片上系統(tǒng) （SoC） 和微處理器）在電信、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、汽車、航空電子和國防系統(tǒng)中的應(yīng)用范圍不斷擴大。這些系統(tǒng)的一個共同點是不斷提高處理能力，從而導致原始功率需求的相應(yīng)增加。設(shè)計人員非常了解高功率處理器的熱管理問題，但可能不會考慮電源的熱管理...
2022-12-21
信號 數(shù)據(jù)處理電路 DC－DC轉(zhuǎn)換器
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簡述碳化硅SIC器件在工業(yè)應(yīng)用中的重要作用
電力電子轉(zhuǎn)換器在快速發(fā)展的工業(yè)格局中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。它們的應(yīng)用正在增加，并且在眾多新技術(shù)中發(fā)揮著核心作用，包括電動汽車、牽引系統(tǒng)、太空探索任務(wù)、深層石油開采系統(tǒng)、飛機系統(tǒng)等領(lǐng)域的進步。
2022-12-19
碳化硅SIC器件 工業(yè)應(yīng)用
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國星光電NS62m功率模塊上線
在“雙碳”目標背景下，我國電力系統(tǒng)將向以新能源為主體的新型電力系統(tǒng)轉(zhuǎn)型，儲能作為靈活調(diào)節(jié)電源在新型電力系統(tǒng)中承擔重任。而儲能逆變器是儲能系統(tǒng)中關(guān)鍵的一環(huán)，可控制儲能電池組充電和放電過程，在提高儲能系統(tǒng)的效率及降低成本方面起著重要作用。
2022-12-16
國星光電 NS62m功率模塊
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