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技術(shù)支招：電源模塊輸出電壓為什么會(huì)變低？
“測(cè)量電源模塊的輸出電壓，原本是輸出5V的模塊，怎么只有4.8V了？難道是輸出電壓變低，模塊壞了？”不是這樣的，不一定是模塊損壞了，也有可能是應(yīng)用不合理。讓我們來找一找電源模塊輸出電壓變低的原因。
2015-12-10
電源模塊 輸出電壓
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支高招：可控硅調(diào)光的噪聲抑制方法
可控硅在LED照明設(shè)計(jì)中是非常重要部分。隨著可控硅調(diào)光在照明市場(chǎng)中的應(yīng)用越來越廣泛，難免會(huì)遇到噪音過大的問題。本文就主要講解了可控硅調(diào)光的噪聲抑制方法，能夠被控制在一米以內(nèi)切難以被察覺。
2015-12-09
噪聲抑制 可控硅調(diào)光
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解析：電阻與電位器有哪些不同點(diǎn)
很多新手都容易吧電阻和電位器這兩個(gè)概念混淆，這主要是由于電位器的特性導(dǎo)致的，電位器可以作為三端和二端元件使用，而二端時(shí)，電位器也可以作為可變電阻器使用。本文主要分析了電阻和電位器之間的區(qū)別。
2015-12-09
電阻 電位器
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網(wǎng)友教你：為功率因數(shù)校正應(yīng)用選擇合適的MOSFET
Vishay Siliconix設(shè)計(jì)和生產(chǎn)面向工業(yè)、可再生能源、計(jì)算、消費(fèi)及照明市場(chǎng)的高壓MOSFET（HVM）。我們擁有電壓范圍為50V至1000V的廣泛器件，其中采用我們最新超結(jié)技術(shù)的器件的電壓范圍為500 V至650 V 。本設(shè)計(jì)指南的目的是幫助設(shè)計(jì)工程師在其功率因數(shù)校正（PFC）設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)盡可能高的MOSFET效率。
2015-12-09
功率因數(shù) MOSFET
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高壓電容電容量是否穩(wěn)定，什么因素在搞鬼？
在電路保護(hù)元件中，高壓電容屬于重要的元件之一。所以經(jīng)常會(huì)出現(xiàn)在智能產(chǎn)品設(shè)計(jì)中。但其實(shí)在實(shí)際應(yīng)用中，固定不變的高壓電容的電容量卻經(jīng)常會(huì)發(fā)生變化，這是什么因素導(dǎo)致的？小編就來為大家解析。
2015-12-08
高壓電容 電容量
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可控硅受干擾究竟是因?yàn)槟男┰?/span>
在電子元器件中，可控硅屬于在照明和通訊等領(lǐng)域中不可缺少的元件。正是由于可控硅組成的脈沖觸發(fā)系統(tǒng)被廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。但是要想可控硅正常運(yùn)行就必須保證可控硅的抗干擾能力。本文就來講解可控硅受到干擾是因?yàn)槟男┰颉?/p>
2015-12-08
可控硅 干擾
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如何讓開關(guān)電源適配器更加安全？
工程師在設(shè)計(jì)開關(guān)電源適配器新產(chǎn)品的過程中，總會(huì)給產(chǎn)品添加一些保護(hù)措施。無可厚非，就是為了避免開關(guān)電源適配器在運(yùn)行過程中出現(xiàn)了元件損壞、短路等現(xiàn)象。從而縮短了開關(guān)電源適配器的工作壽命。本文就來分享延長(zhǎng)開關(guān)電源適配器的保護(hù)措施。
2015-12-07
開關(guān)電源適配器 電源
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使用指南：雙向可控硅你必須知道的十大準(zhǔn)則
可控硅因其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，僅需一個(gè)觸發(fā)電路就可以工作的優(yōu)勢(shì)被作為交流開關(guān)器件，并且應(yīng)用越來越廣泛。本文主要講述的就是雙向可控硅完美工作時(shí)必備的十大準(zhǔn)則。
2015-12-07
MCU 控制技術(shù) 雙向可控硅
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逆變電源傳導(dǎo)輻射超標(biāo)了，怎么辦？
本文對(duì)于逆變電源中的輻射超標(biāo)問題進(jìn)行了探討，以達(dá)人經(jīng)驗(yàn)分享為主，解析了當(dāng)輻射超標(biāo)時(shí)的解決建議與檢查思路，從而對(duì)遇到同樣問題的設(shè)計(jì)者進(jìn)行幫助，希望大家在閱讀過本文之后能夠有所收獲。
2015-12-07
逆變電源 傳導(dǎo)輻射
- 克服碳化硅制造挑戰(zhàn)，助力未來電力電子應(yīng)用
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