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詳解高集成度模擬前端AFE AD7124在RTD測溫場合的應(yīng)用
隨著工業(yè)生產(chǎn)的發(fā)展，溫度測量與控制十分重要，溫度參數(shù)的準確測量對輸出品質(zhì)、生產(chǎn)效率和安全可靠的運行至關(guān)重要。作為一家高性能模擬大廠，ADI公司擁有完善的測溫/控溫方案，從無源的電阻式溫度檢測器RTD、熱電偶Thermocouple (TC)，到直接電流/電壓模擬量輸出、SPI/IIC數(shù)字接口輸出的半導體溫度...
2020-03-25
模擬前端 AFE AD7124 RTD測溫場合
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漲知識啦！逆變直流電焊機的工作原理
逆變電焊機的基本工作原理：逆變電焊機主要是逆變器產(chǎn)生的逆變式弧焊電源，又稱弧焊逆變器，是一種新型的焊接電源。
2020-03-24
逆變直流電焊機 逆變式弧焊電源
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使用固定比率轉(zhuǎn)換器提高供電網(wǎng)絡(luò)效率
絕大多數(shù)機電負載或半導體負載都需要穩(wěn)定的 DC-DC 電壓轉(zhuǎn)換及嚴格的穩(wěn)壓，才能可靠運行。執(zhí)行該功能的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器通常稱作負載點 (PoL) 穩(wěn)壓器，設(shè)計時具有最大輸入電壓及最小輸入電壓規(guī)格，其規(guī)格定義了它們的穩(wěn)定工作范圍。這些穩(wěn)壓器的供電網(wǎng)絡(luò) (PDN) 的復雜性可能會因負載的數(shù)量和類型、整體...
2020-03-23
固定比率 轉(zhuǎn)換器 供電網(wǎng)絡(luò)
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GTAT和安森美簽署生產(chǎn)和供應(yīng)碳化硅材料的協(xié)議
2020年3月18日 — GT Advanced Technologies（GTAT）和安森美半導體（ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON），宣布執(zhí)行一項為期五年的協(xié)議，總價值可達5,000萬美元。根據(jù)該協(xié)議，GTAT將向高能效創(chuàng)新的全球領(lǐng)袖之一的安森美半導體生產(chǎn)和供應(yīng)CrystX?碳化硅（SiC）材料，用于高增長市場和應(yīng)用。
2020-03-18
GTAT 安森美 碳化硅 材料 協(xié)議
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MOS管和IGBT管到底區(qū)別在哪？該如何選擇？
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-18
MOS管 IGBT管 半導體器件
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萬用表如何測量漏電？如何區(qū)分火線和零線
要想測量漏電，首先要弄清楚什么是漏電，發(fā)電廠那邊輸出的是三相交流電，中性點是直接接地的，零線和地線直接短接到一個點上，和大地是等電位的。
2020-03-17
萬用表 火線 零線
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氮化鎵(GaN)接替硅，支持高能效、高頻電源設(shè)計
在所有電力電子應(yīng)用中，功率密度是關(guān)鍵指標之一，這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限，設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵（GaN）來提供方案。
2020-03-13
氮化鎵 硅 高頻電源 設(shè)計
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高密度混合電力電容器：能源競賽的新方向
一家總部位于比利時的公司表示：“電力電容器”（Power Capacitors）能夠存儲比傳統(tǒng)鋰電池更多的電量，而且具備更高的充電/放電率，更大范圍的安全工作溫度、超長的使用壽命，而且不存在爆炸的風險。目前公司正在進行相關(guān)的測試。
2020-03-12
高密度 電力電容器 能源競賽
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三種PD整流器拓撲，減少以太網(wǎng)供電系統(tǒng)電力損耗
對于工業(yè)IoT中的許多應(yīng)用，包括聯(lián)接的照明設(shè)備，以太網(wǎng)供電（PoE）是一種首選技術(shù)，可在供電設(shè)備（PSE）和受電設(shè)備（PD）之間提供安全可靠的功率傳輸。
2020-03-04
整流器 拓撲 以太網(wǎng) 供電系統(tǒng) 電力損耗
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